半导体光电杂志文献阅读_As元素分子态对InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器性能的影响

As元素分子态对InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器性能的影响

方俊; 孙令; 刘洁中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家研究中心清洁能源重点实验室; 北京100190; 中国科学院大学物理学院; 北京100049

摘要：对As_2和As_4两种不同分子态下利用分子束外延技术（MBE）生长的单层AlGaAs薄膜和GaAs基InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器（QWIP）的性能进行了研究,发现As2条件下生长的单层AlGaAs材料荧光强度更大、深能级缺陷密度更低;相对于As4较为复杂的吸附、生长机制引入的缺陷,在As2条件下生长的InGaAs/AlGaAs QWIP具有更低的暗电流密度、更好的黑体响应、更高的比探测率和更优异的器件均匀性。生长制备的InGaAs/AlGaAs QWIP在60K的工作温度、-2V偏压下,暗电流密度低至7.8nA/cm~2,光谱响应峰值波长为3.59μm,4V偏压下峰值探测率达到1.7×1011 cm·Hz1/2·W-1。另外,通过As元素的不同分子态下InGaAs/AlGaAs QWIP光响应谱峰位的移动可以推断出As元素的不同分子态也会影响In的并入速率。

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