加急见刊

940nm大功率半导体激光器后工艺优化

王海阔; 李建军; 王元诚; 王梦欢; 袁泽旭 北京工业大学光电子技术教育部重点实验室; 北京100124

摘要：波长为940nm的大功率半导体激光器是基于Yb∶YAG激光器的重要泵浦光源。为了制备高输出功率的940nm半导体激光器,基于非对称超大光腔波导外延结构,对芯片后制备工艺进行了优化。在芯片的侧向,引入了隔离双沟结构,以实现对侧向电流扩展的有效抑制,从而提高器件的性能。通过优化双沟的间距和深度,并结合长腔长结构,制备的940nm半导体激光器在室温且未采取任何主动散热的条件下,最高出光功率达到20.3W。

注: 保护知识产权,如需阅读全文请联系半导体光电杂志社