加急见刊

金刚石基GaN HEMT技术发展现状和趋势

赵金霞 中国电子科技集团公司第十三研究所; 石家庄050051

摘要：采用金刚石衬底可显著提升GaN微波功率器件的散热能力,从而制作尺寸更小、功率更高的金刚石基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件。介绍了金刚石基GaN HEMT技术优势。综述了金刚石基GaN HEMT的金刚石衬底生长、金刚石与GaN HEMT层结合、金刚石/GaN界面优化等制造技术的研发现状,并概述了金刚石基GaN微波功率器件的最新研究进展。最后分析了金刚石基GaN HEMT制造技术面临的挑战和未来的发展趋势,表明制作低成本大尺寸金刚石衬底材料、提升GaN/金刚石界面热阻以及大幅提升金刚石基GaN器件的性能并在射频功率器件领域实现商用将是未来发展的重点。

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