加急见刊

液封直拉富铟InP中铟夹杂的纵向和横向分布

王昊宇; 杨瑞霞; 孙聂枫; 王书杰; 田树盛; 陈春梅; 孙士文; 刘惠生; 孙同年 河北工业大学电子信息工程学院; 天津300401; 中国电子科技集团公司第十三研究所; 石家庄050051; 专用集成电路重点实验室; 石家庄050051; 中国科学院上海技术物理研究所; 上海200083

摘要：采用光学显微镜与红外透射显微镜相结合的方法,研究了磷化铟(InP)晶片中铟夹杂的形貌,通过比较含有铟夹杂的晶体与晶片,总结了铟夹杂在富铟磷化铟中的纵向与横向分布行为,并分析了熔体组分配比度、固液界面形貌以及温度梯度对铟夹杂分布行为的影响。在含有铟夹杂的单晶片中发现铟夹杂的一种特殊环形分布行为,对比和它相邻的晶片,发现这种环形分布呈现出沿生长方向直径逐渐变小的趋势,初步分析与固液界面呈微凸的形貌有关。在这种特殊分布中,发现部分铟夹杂呈四方对称分布。结合磷化铟的晶体结构,分析这种对称分布与固液界面处的{111}晶面有关。

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