加急见刊

异质外延碲镉汞薄膜的位错抑制技术

覃钢; 李东升; 夏宗泽; 邸卓; 陈卫业; 杨晋; 杨春章; 李艳辉 昆明物理研究所; 云南昆明650223; 国网辽阳供电公司; 辽宁辽阳111000

摘要：本文简述了MBE异质外延碲镉汞薄膜位错形成机理、位错在外延层中的演化过程以及位错抑制理论,总结了国内外CdTe缓冲层的位错抑制技术、HgCdTe薄膜的位错抑制技术,分析了热循环退火技术各个要素与位错密度变化之间的关系。

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