加急见刊

碲镉汞器件光敏元电容测试与分析

任士远; 林春; 魏彦锋; 周松敏; 王溪; 郭慧君; 陈路; 丁瑞军; 何力 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室; 上海200083; 中国科学院大学; 北京100049; 上海科技大学信息科学与技术学院; 上海210210

摘要：报道了液氮温度下对HgCdTe器件进行电容测试的方法。标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据。对比了碲镉汞常规PN结器件与雪崩光电二极管(APD)器件的耗尽层宽度以及N区载流子浓度。

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