摘要：报道了X波段脉冲输出功率超过400 W的GaN HEMT内匹配功率管。该器件内部包含了4只14.4mm栅宽GaN HEMT管芯。输入输出同时采用了一级L-C阻抗变换和两级微带阻抗变换器。该器件在9.0~10.0GHz频带内,在漏极电压为50V、脉冲宽度100μs、占空比10%测试条件下,输出功率达到了400 W以上,功率增益大于9dB,附加效率高于37.7%,带内峰值输出功率450 W。
注: 保护知识产权,如需阅读全文请联系固体电子学研究与进展杂志社
正刊保障,1-3日快速录用,1-3月快速见刊.
直联各个杂志编辑部,省去中间商,价格实惠,欢迎比较价格.
编辑老师1对1服务,为您量身定制论文发表策略.
严格保障客户隐私,可签署保密协议.
公司运营资质可查,支持对公账户.
投稿网 是一个免费的论文发表咨询平台,收录刊物均可在国家新闻出版署查询, 坚决抵制假刊、套刊.我们与上千家杂志社合作,致力于成为杂志社与作者的桥梁,为作者搭建期刊投稿绿色通道.
四川省成都市天府新区华阳街道
新希望大道二段158号
锦官丽城25栋1单元1层109号