加急见刊

短沟道MOSFET源漏寄生电阻的二维半解析模型

常红; 王亚洲; 柯导明 中国电子科技集团公司第五十八研究所; 江苏无锡214000; 安徽大学电子信息工程学院; 合肥230601

摘要：根据金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的工作原理,在MOSFET的源/漏区域引入了矩形等效源,提出了源/漏电阻的二维定解问题。通过用分离变量法、傅里叶展开和积分方程相结合建立MOSFET源/漏电阻的二维半解析模型,得到了源/漏电阻与几何尺寸之间的关系。该模型避免了数值分析时的方程的离散化,且具有较高的精度。计算和仿真结果表明,模型计算出的源/漏电阻阻值接近于Silvaco的仿真值。

注: 保护知识产权,如需阅读全文请联系固体电子学研究与进展杂志社