电子束直写中X射线光刻掩模的热形变研究 尚鸿雁; 王永坤 上海海事大学; 物流工程学院; 上海; 200135; 北京航空航天大学; 航空科学与工程学院; 北京; 100083 摘要:对X射线掩模电子束制备图形过程建立三维有限元模型,提出用热流密度等效法简化瞬态热应力计算,得到了X射线掩模在电子束直写过程中的瞬态热形变.结果表明,掩模面内形变在直写过程中出现振荡变化,最大值为8.24 nm,方向背离电子束光照中心,掩模面外形变最大值为9.75μm,方向沿图形窗口法线方向,并出现在电子束束斑中心. 注: 保护知识产权,如需阅读全文请联系微细加工技术杂志社
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