加急见刊

应用于MOEMS集成的TSV技术研究

胡正高; 盖蔚; 徐高卫; 罗乐 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 传感技术联合国家重点实验室; 上海200050; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 信息功能材料国家重点实验室; 上海200050; 中国科学院大学; 北京100049

摘要：硅通孔(TSV)通过缩短互连长度可实现低延迟、低功耗等目的。对应用于微光机电系统(MOEMS)集成的TSV工艺进行了研究,通过ICP-DRIE参数优化获得了陡直TSV通孔;通过金-金键合及bottom-up法,实现了TSV的无缺陷填充;对填充后的TSV进行电学表征,测试结果表明,单个TSV的电阻平均值为0.199Ω、相邻两个TSV的电容在无偏压时为170.45fF、TSV的漏电流在100V时为9.43pA,具有良好的电学特性。

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