加急见刊

单分散中空二氧化硅微球的制备

万恒成; 段涛; 竹文坤; 姚卫棠; 易欢; 程文财; 牛振威 西南科技大学新能源材料研究中心; 四川绵阳621900

摘要：通过牺牲微米级PS模板原位合成方法制备微米级单分散中空SiO_2微球,着重研究反应温度（50,70℃）、TEOS用量（2,3,4 g）、氨水用量（1,2,3 mL）与MTC用量（0.2,0.4 g）等参数对中空微球的影响,获得微米级（1~5μm）、结构（孔径、壁厚等）可控的单分散中空SiO_2微球的最佳制备工艺,通过扫描电镜分析（SEM）、透射电镜分析（TEM）、红外光谱分析（FT-IR）、热失重分析（TGA）、氮吸附（BET）等测试手段表征了微球性能。

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